[发明专利]光掩模坯料和制备光掩模的方法在审
申请号: | 201811342214.1 | 申请日: | 2018-11-13 |
公开(公告)号: | CN109782527A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 稻月判臣;笹本纮平;松桥直树 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/26;G03F1/68;G03F1/80 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上,氮/铬原子比是0.1以下,铬含量是50at%以下且碳/氧原子比是0.8以上,或铬含量是60at%以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯料 光掩模 含铬 铬原子 氧原子 制备 干法刻蚀 铬化合物 衬底 含氧 透明 加工 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模坯料,使用波长250nm以下的曝光光将其加工成适于图案转印的光掩模,所述光掩模坯料包括透明衬底和含铬膜,所述含铬膜直接设置在衬底上或通过光学膜设置在衬底上,且能够用含氧的氯基气体干法刻蚀,其中所述含铬膜由单层或多层构成,所述单层或所述多层中的至少一层是由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层,所述由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层具有如下组成:碳与铬的原子比是0.3以上,氮与铬的原子比是0.1以下,铬含量是50at%以下且碳与氧的原子比是0.8以上,或铬含量是60at%以下且碳与氧的原子比是1以上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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