[发明专利]一种提高碳化硅单晶生长过程中温度场分布均匀度的方法有效
| 申请号： | 201811302534.4 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109518275B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 宁秀秀;高超;梁晓亮;李霞;宗艳民;李加林;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种提高碳化硅单晶生长过程中温度场分布均匀度的方法，所述方法包括利用单晶生长装置和保温装置进行碳化硅单晶生长的步骤，在单晶生长过程中通过旋转保温装置以提高温度场分布的均匀度；并且，在单晶生长过程中单晶生长装置保持静止状态。本申请所提供的碳化硅单晶生长方法简单，自动化程度高，整体费用低，经济效益高，该方法制备的碳化硅晶体内部应力小，基本上没有晶格错位现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 生长 过程 温度场 分布 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高碳化硅单晶生长过程中温度场分布均匀度的方法，所述方法包括利用单晶生长装置和保温装置进行碳化硅单晶生长的步骤，其特征在于，在单晶生长过程中通过旋转保温装置以提高温度场分布的均匀度；并且，在单晶生长过程中单晶生长装置保持静止状态。
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