[发明专利]低温封装结构及方法有效

专利信息
申请号: 201811289984.4 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN111115549B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 蒋将 申请(专利权)人: 深圳华大智造极创科技有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 彭辉剑;习冬梅
地址: 518000 广东省深圳市盐田区盐*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种低温封装结构,包括封装体、硅基体及印刷电路板,所述硅基体的正面设置有多个电极,每一所述电极分别通过通孔引至硅基体的背面,所述硅基体的背面设置有多个第一金属凸点,每一所述第一金属凸点上设置有至少一第二金属凸点,所述印刷电路板的一表面设置有多个第三金属凸点,所述第二金属凸点的尺寸小于所述第一金属凸点及所述第三金属凸点的尺寸,每一所述第三金属凸点通过冷压键合方式与第二金属凸点连接,以使得所述硅基体与所述印刷电路板之间电连接。本发明还提供一种低温封装方法。上述低温封装结构及方法,封装结构简单,通过减少硅基体上金属凸点的接触面积,在施加外力的情况下即可实现与印刷电路板的冷压键合。
搜索关键词: 低温 封装 结构 方法
【主权项】:
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