[发明专利]一种提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法在审
| 申请号： | 201811282182.0 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109461778A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 黄晓峰;王立;崔大健;高新江;莫才平;迟殿鑫;樊鹏;陈伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/105 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体光电二极管领域，特别涉及一种提高背照式光电二极管响应度的结构及制作方法，所述结构包括衬底，在衬底上生长有吸收层、渐变层、窗口层和欧姆接触层；所述结构采用台面型芯片结构，台面表面覆盖有钝化层，有源区窗口覆盖有P电极，从台面下N型接触层引出N电极，与P电极形成共平面电极；本发明有效减小欧姆接触面积，将增加二极管串联电阻，降低其频率特性，在高速光电二极管设计中上述影响将更加明显。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 背照式 响应度 衬底 半导体光电二极管 高速光电二极管 二极管串联 欧姆接触层 台面型芯片 欧姆接触 频率特性 台面表面 窗口层 钝化层 共平面 渐变层 吸收层 电极 台面 电阻 减小 源区 覆盖 制作 生长 | ||
【主权项】：
1.一种提高背照式光电二极管响应度的结构，其特征在于，所述结构包括衬底，在衬底上生长有吸收层、渐变层、窗口层和欧姆接触层；所述结构采用台面型芯片结构，台面表面覆盖有钝化层，有源区窗口覆盖有P电极，从台面下N型接触层引出N电极，与P电极形成共平面电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所，未经中国电子科技集团公司第四十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811282182.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
