[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811279155.8 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128895A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 宛伟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。其中该半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上定义出第一方向和第二方向，所述第一方向与所述第二方向具有不为零的夹角；第一隔离结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第一方向分布；第二隔离结构和埋入式栅极字线结构，位于所述半导体衬底中且沿所述第二方向分布；其中所述第一隔离结构和所述埋入式栅极字线结构均是利用自对准技术形成。本公开由于埋入式栅极字线结构通过自对准技术实现，可以避免发生位置偏移，提升半导体器件的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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