[发明专利]具有ZnTe过渡层的GaN-CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法

摘要

本发明提供了一种具有ZnTe过渡层的GaN‑CdZnTe复合结构组件、应用及其制备方法，基于GaN/ZnTe基底生长CdZnTe薄膜并制备GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器，本发明提供的GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括衬底预处理、ZnTe过渡层的溅射过程、CdZnTe薄膜的生长过程、GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作4个主要步骤。本发明方法能在GaN/ZnTe衬底上快速生长大面积、高质量CdZnTe薄膜，GaN/ZnTe衬底可以保证GaN/ZnTe/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。

主权项

1.一种具有ZnTe过渡层的GaN‑CdZnTe复合结构组件，其特征在于：首先在GaN基底上制备ZnTe过渡层，形成GaN‑ZnTe复合衬底，然后在GaN‑ZnTe复合衬底的ZnTe过渡层表面上继续生长制备CdZnTe薄膜，得到具有ZnTe过渡层的CdZnTe薄膜和GaN基片结合的GaN‑ZnTe‑CdZnTe复合结构组件。