[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811255948.6 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109904140A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李义福;郑德泳;姜尚范;朴斗焕;白宗玟;安商燻;吴赫祥;刘禹炅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘膜 基底 半导体装置 下金属层 上表面 介电膜 下表面 凹部 长竖 阻挡 电连接 金属层 凸出的 堆叠 竖直 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一绝缘膜，位于基底上；下金属层，位于第一绝缘膜中；第二绝缘膜，位于第一绝缘膜上，其中，第二绝缘膜包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面是向上凸出的；阻挡介电膜，位于第二绝缘膜上，其中，阻挡介电膜限定凹部的一部分；以及过孔金属层，位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并且与下金属层电连接，其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且其中，下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。
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