[发明专利]一种适用于深亚微米CMOS工艺的运算电流放大器有效
| 申请号： | 201811250230.8 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109462381B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 白春风;乔东海;赵鹤鸣;司大千 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于深亚微米CMOS工艺的运算电流放大器，包括差分电流缓冲级、源极耦合差分跨导级主电路和源极耦合差分跨导级从电路。本发明具有适用深亚微米CMOS工艺电源电压低、高频性能好的特点，基于本发明搭建的电阻网络负反馈放大器在实现宽带、大输出摆幅的同时仍能维持与基于运算跨导放大器搭建的电阻网络负反馈放大器相当的共模抑制比性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 微米 cmos 工艺 运算 电流放大器 | ||
【主权项】：
1.一种适用于深亚微米CMOS工艺的运算电流放大器，其特征在于：包括差分电流缓冲级、源极耦合差分跨导级主电路和源极耦合差分跨导级从电路。
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