[发明专利]一种铜镀钯再镀镍键合丝及其制备方法在审
申请号: | 201811245101.X | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109449087A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 张军伟;张贺源;冯忠卿 | 申请(专利权)人: | 深圳粤通应用材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;C25D5/12;C25D7/06;C25D5/50;C23C18/38;C23C18/32;C23C14/16;C23C14/58 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518052 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种铜镀钯再镀镍键合丝,包括铜丝基材,所述铜丝基材表面依次镀覆有镀钯层和镀镍层,本发明还公开了所述铜镀钯再镀镍键合丝的制备方法,本发明的有益效果是所述铜丝基材的外表面依次镀覆有镀镍层、镀钯层和镀金层;由于铜和镍的结合力很好,镍和钯的结合力也很好,该镀层方式解决了铜钯结合力差,大大提高了成品率和生产效率;实现了结合力高,键合力强,方便镍钯金框架的焊接且焊点无变形缺陷,能够防止后续拉丝过程中剥落和裂纹的效果。 | ||
搜索关键词: | 铜丝 键合丝 结合力 镀镍 铜镀 镀镍层 镀钯层 镀覆 基材 制备 焊点 基材表面 拉丝过程 生产效率 成品率 镀金层 键合力 镍钯金 无变形 镀层 剥落 焊接 | ||
【主权项】:
1.一种铜镀钯再镀镍键合丝,包括铜丝基材(1),其特征在于,所述铜丝基材(1)表面依次镀覆有镀钯层(2)和镀镍层(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳粤通应用材料有限公司,未经深圳粤通应用材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811245101.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造