[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811244555.5 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111092014A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘少鹏;刘瑞盛;邵云亮;蒋信 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，衬底具有形成在其上的待刻蚀材料层，待刻蚀材料层上方覆盖有第一硬掩膜层，第一硬掩膜层上方具有牺牲层；在牺牲层中进行刻蚀形成开口，直至暴露出第一硬掩膜层；在开口内回填绝缘介质，形成绝缘层；进行无掩膜刻蚀，将绝缘层刻蚀掉，直至暴露出第一硬掩膜层；在开口内回填金属直至填充满开口，形成第二硬掩膜层；进行CMP剖光，使表面平整；采用湿法腐蚀的方法去除牺牲层；使用第二硬掩膜层作为硬掩膜，对第一硬掩膜层进行刻蚀；使用第一硬掩膜层作为硬掩膜，对待刻蚀材料层进行刻蚀。本发明能够节约小尺寸器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
