[发明专利]一种PERC电池背面钝化结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811242783.9 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109461777A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 魏青竹;苗凤秀;张树德;连维飞;胡党平;倪志春 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;李萍 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PERC电池背面钝化结构及其制备方法。一种PERC电池背面钝化结构，包括硅基底，还包括依次层叠的氧化硅钝化膜层、氧化铝钝化膜层及氮化硅钝化膜层，所述氧化硅钝化膜层形成于所述硅基底上，所述氧化铝钝化膜层形成于所述氧化硅钝化膜层上，所述氮化硅钝化膜层形成于所述氧化铝钝化膜层上。该背面钝化结构有助于减少硅基底表面态密度，具有较低的内反射，同时氧化铝保持良好的钝化效果，提升电池开路电压和短路电流，进而提升电池转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化膜层 氧化铝 电池背面 钝化结构 氧化硅 氮化硅钝化 硅基 膜层 制备 背面钝化结构 电池开路电压 电池转换效率 硅基底表面 短路电流 钝化效果 依次层叠 内反射 | ||
【主权项】：
1.一种PERC电池背面钝化结构，包括硅基底，其特征在于：还包括依次层叠的氧化硅钝化膜层、氧化铝钝化膜层及氮化硅钝化膜层，所述氧化硅钝化膜层形成于所述硅基底上，所述氧化铝钝化膜层形成于所述氧化硅钝化膜层上，所述氮化硅钝化膜层形成于所述氧化铝钝化膜层上。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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