[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201811210323.8 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109686789B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 平林康弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;黄隶凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其具有半导体基板、上表面电极和下表面电极。半导体基板具有：与上表面电极接触的p型阳极区、与下表面电极接触的n型阴极区、以及位于阳极区与阴极区之间的漂移区。半导体基板还具有位于阳极区与漂移区之间的势垒区、以及在势垒区和上表面电极之间延伸的n型柱区。势垒区具有多层结构，所述多层结构包括n型第一势垒层、p型第二势垒层、以及n型第三势垒层，所述第二势垒层位于第一势垒层与第三势垒层之间。第一势垒层与阳极区相接，并且隔着柱区与上表面电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板；上表面电极，其设置于所述半导体基板的上表面；以及下表面电极，其设置在所述半导体基板的位于所述上表面相对侧的下表面，所述半导体基板具有：p型阳极区，其与所述上表面电极接触；n型阴极区，其与所述下表面电极接触；n型漂移区，其位于位于所述阳极区与所述阴极区之间，且载流子密度低于所述阴极区；势垒区，其位于所述阳极区与所述漂移区之间；以及n型柱区，其在所述势垒区和所述上表面电极之间延伸，且与所述上表面电极进行肖特基接触，所述势垒区具有多层结构，所述多层结构包括n型第一势垒层、p型第二势垒层、以及n型第三势垒层，所述第二势垒层位于所述第一势垒层与所述第三势垒层之间，所述第一势垒层及所述第三势垒层各自的载流子密度高于所述漂移区中的载流子密度，所述第一势垒层与所述阳极区相接，并且隔着所述柱区与所述上表面电极连接。
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