[发明专利]一种富硅SiOx-C材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种富硅SiOx‑C材料的制备方法，以SiO为原材料，通过刻蚀SiO歧化反应生成的组成为SiO2@SiO@Si的SiOx获得多孔硅基材料，然后通过CVD（化学气相沉积）法在多孔硅基材料的孔结构中沉积Si，从而获得富硅的SiOx材料，并进一步通过CVD沉积形成的碳包覆层。通过本发明的制备方法制备的富硅SiOx‑C材料的克容量及首次库伦效率均高于商业化的SiO，循环稳定性相对较好，克服了SiO材料首效较低的缺陷。

主权项

1.一种富硅SiOx‑C材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：a、将SiO置于惰性气体中歧化反应得到组成为SiO2@SiO@Si的SiOx；b、将步骤a中的SiOx刻蚀后制得多孔硅基材料；c、加入硅源气体，通过化学气相沉积法在所述多孔硅基材料的内部沉积硅，得到富硅SiOx材料；d、将所述硅源气体更换为碳源气体再通过化学气相沉积法在所述富硅SiOx材料的孔结构及表面形成碳包覆层，制得富硅SiOx‑C材料。