[发明专利]一种在金属基衬上镀制钨膜的方法有效
| 申请号： | 201811178490.9 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109136852B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 樊启文;孟波;胡跃明 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/48;C23C14/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于核技术应用技术领域，公开了一种在金属基衬上镀制钨膜的方法。该方法包括在金属蒸气真空脉冲弧离子注入设备镀制钨过渡层及在单90度弯管过滤阴极真空脉冲弧设备中镀制钨沉积层这两个步骤。该方法可在金属基衬上镀制厚度高达几千纳米且与金属基衬结合力好的钨膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 基衬上镀制钨膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在金属基衬上镀制钨膜的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)镀制钨过渡层将预处理后的基衬置入金属蒸气真空脉冲弧离子注入设备中；调节脉冲离子源的触发电压为6～8KV，触发电流为20～30A，触发脉宽6～8us；主弧电压为80～100V，主弧电流为85～100A，主弧脉宽1.2～1.6ms；注入高压30～50KV、注入束流5～7mA；注入计数500～1000mC；该步骤可在金属基衬上得到钨过渡层；(2)钨沉积层的制备将步骤(1)得到的镀有过渡层的金属基衬置入单90度弯管过滤阴极真空脉冲弧设备中；调节脉冲触发电压为6～8KV、触发电流25～35A、触发脉宽6～8us；脉冲弧压150～180V、脉冲弧流20～40mA、弧脉宽2.5～3ms；偏转电压20～40V；偏转电流2.1～2.3A；基衬偏压80V；沉积2C～1000C的计数以得到数纳米至数千纳米厚度的钨膜。
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