[发明专利]双向式硅控整流器有效
| 申请号： | 201811168635.7 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109616509B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈致维;林昆贤 | 申请（专利权）人： | 晶焱科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/747;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双向式硅控整流器，其包含一轻掺杂半导体结构、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第一掺杂井区、一第二掺杂井区、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区与一第四重掺杂区。轻掺杂半导体结构、第一重掺杂区与第三重掺杂区属于第一导电型，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一掺杂井区、第二掺杂井区、第二重掺杂区与第四重掺杂区属于第二导电型。第一轻掺杂区的第一部分位于第一掺杂井区的下方，第二轻掺杂区的第二部分位于第二掺杂井区的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 式硅控 整流器 | ||
【主权项】：
1.一种双向式硅控整流器，其特征在于，包含：一轻掺杂半导体结构，属于第一导电型；一第一轻掺杂区与一第二轻掺杂区，属于第二导电型，该第一轻掺杂区与该第二轻掺杂区设于该轻掺杂半导体结构中；一第一掺杂井区，属于该第二导电型，该第一掺杂井区设于该第一轻掺杂区中，该第一轻掺杂区的第一部分位于该第一掺杂井区的下方；一第二掺杂井区，属于该第二导电型，该第二掺杂井区设于该第二轻掺杂区中，该第二轻掺杂区的第二部分位于该第二掺杂井区的下方；一第一重掺杂区，属于该第一导电型，该第一重掺杂区设于该第一掺杂井区中；一第二重掺杂区，属于该第二导电型，该第二重掺杂区设于该第二掺杂井区中；一第三重掺杂区，属于该第一导电型，该第三重掺杂区设于该第二掺杂井区中；以及一第四重掺杂区，属于该第二导电型，该第四重掺杂区设于该第一掺杂井区中。
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