[发明专利]存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811146212.5 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911410A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 江昱维;邱家荣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括一NAND存储器串行。NAND存储器串行包括U形状通道、第一反转栅电极、以及第二反转栅电极。U形状通道包括底通道表面、第一通道外侧壁与第二通道外侧壁。底通道表面在相对的第一通道外侧壁与第二通道外侧壁之间。第一反转栅电极电性耦接U形状通道，并位于底通道表面的下方。第二反转栅电极电性耦接U形状通道，并位于第一通道外侧壁的外侧，且第二反转栅电极与第一反转栅电极互相分开。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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