[发明专利]一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器在审
| 申请号： | 201811077908.7 | 申请日： | 2018-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN109412538A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 马建国;张蕾;傅海鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03F1/56 | 分类号： | H03F1/56;H03F3/21;H03F3/45 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 吴学颖 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器，包括一号CMOS晶体管、二号CMOS晶体管、三号CMOS晶体管、四号CMOS晶体管，一号CMOS晶体管和三号CMOS晶体管处于同一支路，二号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管处于同一支路，一号CMOS晶体管和二号CMOS晶体管均为共源结构，三号CMOS晶体管和四号CMOS晶体管均为共栅结构，三号CMOS晶体管源极和四号CMOS晶体管漏极之间连接一号交叉耦合电容，三号CMOS晶体管漏极和四号CMOS晶体管源极之间连接二号交叉耦合电容。本发明能够在实现高的输出功率下保证射频功率放大器的稳定，不需要额外的稳定措施，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 射频功率放大器 交叉耦合电容 高输出功率 稳定性增强 支路 漏极 源极 共源结构 共栅结构 输出功率 稳定措施 保证 | ||
【主权项】：
1.一种稳定性增强的高输出功率射频功率放大器，包括一号CMOS晶体管(M1)、二号CMOS晶体管(M2)、三号CMOS晶体管(M3)、四号CMOS晶体管(M4)，一号CMOS晶体管(M1)和三号CMOS晶体管(M3)处于同一支路，二号CMOS晶体管(M2)和四号CMOS晶体管(M4)处于同一支路，所述一号CMOS晶体管(M1)栅极分别连接有一号输入隔直电容(C1)和一号电阻(RG1)，所述二号CMOS晶体管(M2)栅极分别连接有二号输入隔直电容(C2)和二号电阻(RG2)，一号CMOS晶体管(M1)和二号CMOS晶体管(M2)均为共源结构，一号CMOS晶体管(M1)漏极连接三号CMOS晶体管(M3)源极，二号CMOS晶体管(M2)漏极连接四号CMOS晶体管(M4)源极，三号CMOS晶体管(M3)漏极分别连接有一号输出隔直电容(C3)和一号电感(L1)，四号CMOS晶体管(M4)漏极分别连接有二号输出隔直电容(C4)和二号电感(L2)，三号CMOS晶体管(M3)和四号CMOS晶体管(M4)均为共栅结构，其特征在于，所述三号CMOS晶体管(M3)源极和四号CMOS晶体管(M4)漏极之间连接有一号交叉耦合电容(CS1)，所述三号CMOS晶体管(M3)漏极和四号CMOS晶体管(M4)源极之间连接有二号交叉耦合电容(CS2)。
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