[发明专利]一种蚀刻装置有效
| 申请号： | 201811067904.0 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109037119B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐嘉阳;刘春;黄圣修 | 申请（专利权）人： | 友达光电(昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种蚀刻装置，蚀刻装置包括蚀刻腔室、蚀刻液储存槽、第一酸液储存槽、第二酸液储存槽、水储存槽、第一酸液、第二酸液以及清洁水。蚀刻液储存槽通过蚀刻液输送管道与蚀刻腔室连接；第一酸液储存槽通过第一酸液输送管道与蚀刻液储存槽连接；第二酸液储存槽通过第二酸液输送管道与蚀刻液储存槽连接；水储存槽通过水输送管道与蚀刻液储存槽连接。第一酸液容纳于第一酸液储存槽；第二酸液容纳于第二酸液储存槽；清洁水容纳于水储存槽。当蚀刻装置处于一闲置期间时，第一酸液、第二酸液及清洁水分别通过第一输送管道、第二输送管道与水输送管道补入蚀刻液储存槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：一蚀刻腔室；一蚀刻液储存槽，通过一蚀刻液输送管道与所述蚀刻腔室连接；一第一酸液储存槽，通过一第一酸液输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一第二酸液储存槽，通过一第二酸液输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一水储存槽，通过一水输送管道与所述蚀刻液储存槽连接；一第一酸液，容纳于所述第一酸液储存槽；一第二酸液，容纳于所述第二酸液储存槽；以及一清洁水，容纳于所述水储存槽；其中，当所述蚀刻装置处于一闲置期间时，所述第一酸液、所述第二酸液及所述清洁水分别通过所述第一输送管道、所述第二输送管道与所述水输送管道补入所述蚀刻液储存槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
