[发明专利]一种硅片高效制绒方法在审
申请号: | 201811067600.4 | 申请日: | 2018-09-13 |
公开(公告)号: | CN109244185A | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 李晓东;姚译敏 | 申请(专利权)人: | 江苏又一城智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;C30B33/10 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 顾进 |
地址: | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种硅片高效制绒方法,包括如下步骤:a)杂质清洗;b)有机物清洗;c)配置制绒液;d)硅片制绒;e)成品清洗。与现有技术相比,本发明的有益效果在于:通过擦洗可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜;采用浓碱液高温下对硅片进行快速腐蚀,损伤层存在时,腐蚀速率可达5μm/min,损伤层去除后,腐蚀速率约为1.2μm/min,使得硅片表面的脏污和颗粒可完全脱落进入熔液,保证了硅片的表面清洗效果;通过水解生成的原硅酸,以及IPA可对硅片表面的有机物进行去除;最后通过采用H2O2和KOH混合溶液,可清洗制绒后的硅片表面残留物,提高产品质量。 | ||
搜索关键词: | 硅片 硅片表面 制绒 损伤层 腐蚀 去除 有机物清洗 表面清洗 硅片制绒 混合溶液 颗粒污染 杂质清洗 有机物 可清洗 浓碱液 原硅酸 制绒液 擦洗 熔液 水解 脏污 薄膜 清洗 配置 保证 | ||
【主权项】:
1.一种硅片高效制绒方法,其特征在于:包括如下步骤:a)杂质清洗:首先对硅片的表面进行擦洗,随后准备超声波清洗池,并在池内盛放NaQH溶液,接着将硅片放入超声波清洗池内,控制控制频率23000~26000Hz,温度65~70℃,清洗2~3min;b)有机物清洗:首先准备清洗池,并在清洗池内放入Na2SiO3和IPA,然后将步骤a)中的硅片放入清洗池内,控制温度62~66℃,清洗2~3min;c)配置制绒液:在氢氧化钠溶液中添加异丙醇,并备用;d)硅片制绒:首先将制绒液盛放在水槽内,并控制温度75~80℃,随后将步骤b)中的硅片放入水槽内,浸泡20~22min取出;e)成品清洗:用浓度1.2~2%的H2O2和浓度0.5~0.6%的KOH混合溶液对步骤d)处理后的硅片进行清洗,最后干燥,得到制绒好的硅片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏又一城智能科技有限公司,未经江苏又一城智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811067600.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的