[发明专利]加工设备在审
| 申请号： | 201811063123.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109817547A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 苏贤纮;王宸咏;李家铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开部分实施例提供一种加工设备。加工设备包括具有气体出口的一晶圆加工腔。加工设备还包括配置用于抽空晶圆加工腔的一泵。泵包括位于一下侧边界面的一入口端。晶圆加工腔的气体出口沿着穿过下侧边界面的流动轴线延伸。加工设备还包括一排气管道，排气管道与晶圆加工腔的一气体出口和泵的一入口端流体连通。排气管道包括一牺牲管状结构。牺牲管状结构沿相对于下侧边界面倾斜的一通道轴线延伸，并包括面向泵的入口端的内表面。 | ||
| 搜索关键词： | 加工设备 晶圆加工 排气管道 气体出口 管状结构 下侧边 入口端流体 侧边界面 流动轴线 通道轴线 内表面 入口端 延伸 抽空 连通 穿过 配置 | ||
【主权项】：
1.一种加工设备，适用于加工一半导体晶圆，包括：一晶圆加工腔，具有一气体出口；一泵，配置用于对晶圆加工腔产生真空，并包括位于一下侧边界面的一入口端，其中该晶圆加工腔的该气体出口沿着穿过该下侧边界面的一流动轴线延伸；以及一排气管道，与该晶圆加工腔的该气体出口和该泵的该入口端流体连通，并包括一牺牲管状结构，该牺牲管状结构沿相对于该下侧边界面倾斜的一通道轴线延伸，并包括面向该泵的该入口端的一内表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
