[发明专利]一种双面氧化铝结构的PERC双面电池及其制备方法有效
申请号: | 201811061490.0 | 申请日: | 2018-09-12 |
公开(公告)号: | CN109244184B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 刘斌;黄辉巍;薛伟;陆晓慧;黄柳柳 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 朱晓凯 |
地址: | 213164 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种双面氧化铝结构的PERC双面电池及其制备方法,包括硅片,硅片正面依次形成的二氧化硅层、正面氧化铝膜和减反膜;硅片背面依次形成有背面二氧化硅层、背面氧化铝膜、钝化膜和背电极。本发明的制备方法为:清洗、制绒;磷扩散制备pn结;背面抛光、刻蚀、去PSG;退火氧化;双面镀氧化铝膜;正面减反膜沉积;背面钝化膜沉积;激光开槽;丝网印刷、烧结。本发明克服了目前传统方法由于先沉积SiNx再镀氧化铝层所带来的绕镀问题,并能提高电池的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 氧化铝 结构 perc 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双面氧化铝结构的PERC双面电池,包括硅片和设于硅片正面的正电极,其特征在于:所述硅片正面依次设有正面二氧化硅层、正面氧化铝膜和减反膜;所述硅片的背面依次形成有背面二氧化硅层、背面氧化铝膜、钝化膜和背电极;所述正面二氧化硅层厚度大于3nm,而背面二氧化硅层厚度小于3nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的