[发明专利]晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法、电池、组件有效
| 申请号： | 201811050376.8 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110896116B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰;王志建;邰艳龙;彭祖军 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：(1)提供硅片以及扩散源，其中扩散源包括扩散元素；(2)采用打印方法将扩散源置于硅片一表面上而形成第一预制层；(3)对带有第一预制层的硅片进行退火处理，使扩散元素扩散进入硅片中，以形成预制扩散层；(4)采用打印方法将扩散源置于预制扩散层上而形成间隔的第二预制结构；(5)对带有第二预制结构的硅片再次进行退火处理，使扩散元素扩散进入预制扩散层中，得到扩散层；其中，扩散层包括多个连续的单元，每一单元包括相邻的第一扩散结构和第二扩散结构，第一扩散结构的方阻大于第二扩散结构的方阻。本发明在第二扩散结构对应的区域制备电极，可提升接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 扩散 及其 制备 方法 电池 组件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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