[发明专利]一种提高磁性随机存储器写入效率的方法在审

专利信息
申请号: 201811045291.0 申请日: 2018-09-07
公开(公告)号: CN110890458A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 叶力;戴瑾 申请(专利权)人: 上海磁宇信息科技有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16
代理公司: 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 代理人: 于晓菁
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种提高磁性随机存储器写入效率的方法,磁性随机存储器包括控制电路和存储单元阵列,每个存储单元由磁性隧道结和NMOS场效应管组成,存储单元通过字线、磁性位线以及源线与控制电路连接。磁性位线产生一个额外的自旋扭矩效应,由于磁性隧道结的记忆层磁矩垂直于薄膜表面方向,该自旋扭矩在初始状态下就处于最大值,而不会像参考层所提供的自旋扭矩效应那样需要经过一个正反馈的逐渐放大过程。这个额外的自旋扭矩由记忆层顶部的磁性位线提供,可以加速记忆层磁矩的翻转,降低写操作所消耗的能量,提高芯片写操作的效率。
搜索关键词: 一种 提高 磁性 随机 存储器 写入 效率 方法
【主权项】:
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