[发明专利]p-n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811030998.4 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109166958B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘少辉;王娇;丁俊;郝好山;赵利敏;夏思怡 | 申请（专利权）人： | 河南工程学院 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/24;H01L35/34 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 张绍琳;王红培 |
| 地址： | 451191 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料及其制备方法，采用水热法结合气相法制备p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜，碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm，所述的聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。该方法制备的碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料具有良好的热电性能，可用于便携式的无线传感器供电，集成电路芯片的制冷，发光二极管和光探测器的制冷等领域，具有简单易行、成本低、方便快速等优点，可规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 型碲化铅 吡咯 双层 热电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种p‑n型碲化铅/聚吡咯双层热电薄膜材料，其特征在于：复合薄膜由叠层p‑n型碲化铅/聚吡咯材料组成，碲化铅层薄膜的厚度为20nm‑300nm，聚吡咯薄膜的厚度20nm‑300nm。
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