[发明专利]半导体互连结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811029481.3 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN110880489A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体互连结构及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一基底，基底上形成有介电层，于介电层内形成接触孔；2）以低温化学气相沉积的方式至少于接触孔的底部和侧壁形成第一金属层，第一金属层包括成核层；3）以包含低电流密度电镀的电镀方式于第一金属层上形成第二金属层，第二金属层包括种子层，第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率。本发明通过先于接触孔内低温形成第一金属层后再形成第二金属层，可以避免在接触孔内填充的金属层内部形成孔洞，从而可以有效降低填充的整体金属层的电阻值；第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率，可以进一步降低填充的整体金属层的电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 互连 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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