[发明专利]电可编程的多晶硅熔丝器件结构有效
| 申请号： | 201810992764.1 | 申请日： | 2018-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109166841B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 武洁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电可编程的多晶硅熔丝器件结构，包括多晶硅熔丝阳极、多晶硅熔丝阴极以及多晶硅熔丝三部分；中间的多晶硅熔丝两头分别连接多晶硅熔丝阳极以及多晶硅熔丝阴极；多晶硅熔丝的宽度远小于多晶硅熔丝阳极和多晶硅熔丝阴极。所述多晶硅熔丝部分对应多晶硅宽度为设计规则允许最小宽度，多晶硅熔丝电阻方块数在8～13之间；多晶硅熔丝阴极与多晶硅熔丝连接处角度a为30～60度；多晶硅阳极打满接触孔，多晶硅阴极的接触孔只形成于最外围一圈。本发明结构在多晶硅熔丝阳极灌入大的编程电流时，熔丝连接处有更大的温度梯度，更容易发生电迁移，编程后阻值标准偏差减小30％。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 多晶 硅熔丝 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电可编程的多晶硅熔丝器件结构，该结构包括多晶硅熔丝阳极、多晶硅熔丝阴极以及多晶硅熔丝三部分；中间的多晶硅熔丝两头分别连接多晶硅熔丝阳极以及多晶硅熔丝阴极；多晶硅熔丝的宽度远小于多晶硅熔丝阳极和多晶硅熔丝阴极；其特征在于：所述多晶硅熔丝部分对应多晶硅宽度为设计规则允许最小宽度，多晶硅熔丝电阻方块数在8～13Ω/□之间；多晶硅熔丝阴极与多晶硅熔丝连接处角度a为：30度＜a＜60度；多晶硅阳极打满接触孔，多晶硅阴极的接触孔只形成于最外围一圈。
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