[发明专利]多晶圆堆叠结构及其形成方法

摘要

本发明提供了多晶圆堆叠结构及其形成方法，第一介质层与第二介质层相互键合，第一互连层通过第一开孔与第二金属层和第一金属层电连接；第三介质层与绝缘层相互键合，第二互连层通过第二开孔与第三金属层和第一互连层电连接。不需晶圆间预留压焊引线空间，省去硅基板，实现多晶圆互连的同时，减少了多晶圆堆叠厚度，从而使多晶圆堆叠封装后的整体器件厚度减小，增加封装密度，满足半导体产品日益走向轻薄的要求。并且，半导体器件不再需要引线，省去了硅基板以及硅基板上若干共用焊盘的设计加工，有利于降低了成本，简化了工艺。

主权项

1.一种多晶圆堆叠结构，其特征在于，包括：第一晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、第一介质层和第一金属层；第二晶圆，所述第二晶圆包括第二衬底、第二介质层和第二金属层，所述第一介质层与所述第二介质层相互键合；第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第一衬底、第一介质层和部分厚度的第二介质层，并至少暴露出部分所述第二金属层和部分所述第一金属层；第一互连层，所述第一互连层通过所述第一开孔与所述第二金属层和第一金属层电连接；绝缘层，所述绝缘层位于所述第一衬底和所述第一互连层表面；第三晶圆，所述第三晶圆包括第三衬底、第三介质层和第三金属层，所述第三介质层与所述绝缘层相互键合；第二开孔，所述第二开孔贯穿所述第三衬底、所述第三介质层和所述绝缘层，并暴露出部分所述第一互连层和部分所述第三金属层；以及，第二互连层，所述第二互连层通过所述第二开孔与所述第三金属层和所述第一互连层电连接，其中：所述第一介质层包括第一介质层第一部分和第一介质层第二部分，所述第一金属层嵌设于所述第一介质层第一部分和第一介质层第二部分之间；所述第二介质层包括第二介质层第一部分和第二介质层第二部分，所述第二金属层嵌设于所述第二介质层第一部分和第二介质层第二部分之间；所述第三介质层包括第三介质层第一部分和第三介质层第二部分，所述第三金属层嵌设于所述第三介质层第一部分和第三介质层第二部分之间；所述第一晶圆还包括钝化层，所述钝化层位于所述第一金属层与所述第一介质层第二部分之间；所述第二晶圆还包括第二刻蚀停止层，所述第二刻蚀停止层位于所述第二金属层与所述第二介质层第二部分之间；所述第三晶圆还包括钝化层，所述钝化层位于所述第三金属层与所述第三介质层第二部分之间。