[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201810947375.7 | 申请日： | 2018-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN108807615B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 黄柏荣;刘品妙;蔡正晔;林振祺 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括N型半导体层、P型半导体层以及发光层。P型半导体层位于N型半导体层上。发光层位于P型半导体层与N型半导体层之间。N型半导体层具有相连的第一区以及第二区。第一区于第一方向上重叠于发光层与P型半导体层。第二区于第一方向上不重叠于发光层与P型半导体层。P型半导体层的片电阻小于N型半导体层的片电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：一N型半导体层；一P型半导体层，位于该N型半导体层上；以及一发光层，位于该P型半导体层与该N型半导体层之间，其中该N型半导体层具有相连的一第一区以及一第二区，该第一区于一第一方向上重叠于该发光层与该P型半导体层，且该第二区于该第一方向上不重叠于该发光层与该P型半导体层，其中该P型半导体层的片电阻小于该N型半导体层的片电阻。
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