[发明专利]衬底背面纹理有效
| 申请号： | 201810941983.7 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN108803255B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 利奥尔·胡利;杰弗里·T·史密斯;卡洛斯·A·丰塞卡;安东·德维利耶;本雅门·M·拉特扎克 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及衬底背面纹理，其描述的实施方案涉及用于减小光刻变形的方法和设备。可以将半导体衬底的背面纹理化。接着可以对具有经纹理化的背面的半导体衬底进行光刻工艺。为了改善变形均匀性，并且可能地，提高套刻性能，可以将接触卡盘销的半导体衬底的背面表面纹理化，以产生由于在卡盘上的晶片滑动而导致的更均匀的晶片变形。将半导体衬底的背面纹理化，以产生较小的摩擦系数，这提高了在扫描仪夹持期间整个半导体衬底背面的滑动均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 背面 纹理 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：确定光刻工具上的用于半导体衬底的一个或更多个接触区域；至少部分地基于以下来确定对于半导体衬底的背面表面摩擦：所述半导体衬底在所述半导体衬底的一个或更多个部分处的背面特征的频率，在所述半导体衬底的所述一个或更多个部分处的所述背面特征的幅度；以及加工所述半导体衬底以获得所述半导体衬底上的目标背面表面摩擦，所述目标背面表面摩擦包括周期不大于所述一个或更多个接触区域的尺寸的1/5的背面表面特征。
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