[发明专利]改良型雾化喷淋结构有效
| 申请号： | 201810877552.9 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN108735637B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 吴佳俊;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 朱丽莎 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池硅片生产设备技术领域，尤其涉及一种改良型雾化喷淋结构，通过在喷淋长管内设置了第一内管和第二内管，提高了现有的喷淋压力与雾化能力，能够让硅片表面一些附着的脏污清洁更干净，并降低液体介质的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 改良 雾化 喷淋 结构 | ||
【主权项】：
1.一种改良型雾化喷淋结构，其特征在于：包括喷淋长管(1)、第一内管(2)和第二内管(3)，喷淋长管(1)的上侧中间设置有主进口(11)，喷淋长管(1)的底部沿喷淋长管(1)长度方向设置有多个均匀的主出孔(12)，第一内管(2)和第二内管(3)均设置在喷淋长管(1)内部，第一内管(2)和第二内管(3)的轴线和喷淋长管(1)的长度方向相平行，第一内管(2)和第二内管(3)的两端均封闭，第一内管(2)位于第二内管(3)的上方，第一内管(2)的上面开设有一个进风口(21)和多个出风小孔(22)，进风口(21)位于中间，出风小孔(22)位于进风口(21)的两边且向第一内管(2)的两端延伸，出风小孔(22)的密度从中间向两边逐渐变大，第二内管(3)的底部沿第二内管(3)长度方向设置有多个均匀的出液口(31)，进风口(21)连通有进气管(4)，第二内管(3)连通有进液管(5)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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