[发明专利]甘薯茎尖脱毒方法

摘要

本发明公开了一种甘薯茎尖脱毒方法，包括以下步骤：剥取无菌苗上的1～2mm长的茎尖分生组织；将茎尖分生组织接种到预培养基上进行培养；将所得的预培养后茎尖放入加载液中，于室温下加载；将所得的加载后茎尖转至玻璃化液中，于室温下处理，得脱水后茎尖；将脱水后茎尖放入位于载体上的玻璃化液的液滴中进行液氮处理，然后对茎尖进行洗涤；将洗涤后茎尖转入再生培养基中培养成苗；得脱毒后甘薯。采用本发明的方法对甘薯茎尖脱毒，具有培养效率高、成苗率高、脱毒率高的技术优势。

主权项

1.甘薯茎尖脱毒方法，其特征在于包括以下步骤：1)、剥取无菌苗上的1～2mm长的茎尖分生组织；2)、将茎尖分生组织接种到预培养基上进行培养，培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m‑2·s‑1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；培养时间为1～2天；3)、将步骤2)所得的预培养后茎尖放入加载液中，室温下加载0～60min；所述加载液为MS+1.8～2.2mol/L甘油+0.3～0.5mol/L蔗糖，pH5.8；4)、将步骤3)所得的加载后茎尖转至玻璃化液中，室温下处理0～90min，得脱水后茎尖；5)、先将步骤4)所得的脱水后茎尖放入位于载体上的玻璃化液的液滴中，然后将整个载体装入盛满液氮的冷冻管中，再将整个冷冻管投入液氮保持50～70min；6)、从液氮中取出位于冷冻管内的载体，室温下将载体迅速浸入洗涤液中，从而使茎尖从载体上脱落下来；然后再将茎尖转入洗涤液中洗涤20～40min；7)、将步骤6)所得的洗涤后茎尖转入再生培养基中培养成苗；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmol m‑2·s‑1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；光照和暗培养交替进行；培养时间为40～44天，得植株Ⅰ。