[发明专利]层间膜的制造方法

摘要

本发明公开了一种层间膜的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有半导体器件的图形结构的半导体衬底；步骤二、形成层间膜；步骤三、采用化学机械研磨工艺对的层间膜进行第一次平坦化，化学机械研磨工艺会使层间膜表面产生的刮伤；步骤四、形成第二介质层，层间膜的刮伤向上转移到第二介质层的表面且转移后的刮伤深度位于图形结构的表面上方；步骤五、采用刻蚀工艺去除第二介质层实现第二次平坦化并将刮伤消除。本发明能消除化学机械研磨工艺在层间膜表面形成的刮伤，并防止在刮伤中产生金属残留。

主权项

1.一种层间膜的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有半导体器件的图形结构，各所述图形结构之间的区域为图形间隔区；步骤二、形成层间膜，所述层间膜将所述图形间隔区的完全填充且并延伸到所述图形间隔区外的所述图形结构的表面；步骤三、采用化学机械研磨工艺对的所述层间膜进行第一次平坦化，所述第一次平坦化后所述图形结构的表面的所述层间膜都被去除以及所述图形间隔区的所述层间膜的表面和所述图形结构的表面相平；在所述层间膜的表面具有由所述化学机械研磨工艺产生的刮伤；步骤四、形成第二介质层，所述第二介质层覆盖在所述层间膜和所述图形结构的表面，所述层间膜的刮伤向上转移到所述第二介质层的表面且转移后的刮伤深度位于所述图形结构的表面上方；步骤五、采用刻蚀工艺去除所述第二介质层实现第二次平坦化，所述第二次平坦化将转移后的刮伤去除并使所述第二次平坦化后的层间膜表面的刮伤消除。