[发明专利]硒化锑薄膜及其制备方法、应用其的太阳能电池有效
| 申请号： | 201810835092.3 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109037034B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 田勇;檀满林;刘荣跃;王晓伟;符冬菊;陈建军 | 申请（专利权）人： | 深圳清华大学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/477;H01L31/18;H01L31/032;H01L31/072 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅;郑海威 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硒化锑薄膜的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；将0.5～0.8mol/L的醋酸锑和硫脲溶于无水甲醇中得到溶液A，其中所述醋酸锑与硫脲的摩尔比范围为1:1.5～1:3，往溶液A中滴加溶胶稳定剂，得到硫化锑溶胶溶液；将所述硫化锑溶胶溶液旋涂在所述衬底的表面上，预热处理后得到硫化锑薄膜，预热温度范围为200～320℃；将所述硫化锑薄膜和硒粉共同进行热处理，使所述硫化锑薄膜硒化成硒化锑薄膜，硒化温度范围为320～440℃，硒化时间范围为20～80min。本发明另提供一种由该制备方法制得的硒化锑薄膜。本发明还提供一种包括所述硒化锑薄膜的太阳能电池。该制备方法过程环保，由该方法制备出来的硒化锑薄膜致密、均匀，且杂质含量很少。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化锑 薄膜 及其 制备 方法 应用 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种硒化锑薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a.提供一衬底；b.将0.5～0.8mol/L的醋酸锑和硫脲溶于无水甲醇中得到溶液A，其中所述醋酸锑与硫脲的摩尔比范围为1:1.5～1:3，往溶液A中滴加溶胶稳定剂，得到硫化锑溶胶溶液；c.将所述硫化锑溶胶溶液旋涂在所述衬底的表面上，预热处理后得到硫化锑薄膜，预热温度范围为200～320℃；d.将所述硫化锑薄膜和硒粉共同进行热处理，使所述硫化锑薄膜硒化成硒化锑薄膜，硒化温度范围为320～440℃，硒化时间范围为20～80min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳清华大学研究院，未经深圳清华大学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810835092.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆减薄方法
- 下一篇：一种提高SiC基GaN晶圆背金粘附性的方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
