[发明专利]超低介电常数介电层及形成其的方法有效
| 申请号： | 201810828662.6 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109390210B | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 姜允姬;金志英;任台镇;白宗玟;安商燻;吴赫祥;韩奎熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘培培;黄隶凡 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明概念的实施例提供形成超低介电常数介电层的方法及由所述方法形成的超低介电常数介电层。所述方法可包括：通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层；对所述第一层执行第一紫外线工艺，以将所述第一层转换成第二层；以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。本发明概念的实施例可提供形成同时具有低介电常数及优异的机械强度的超低介电常数介电层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 介电层 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成超低介电常数介电层的方法，其特征在于，所述方法包括：通过供应包含硅、氧、碳及氢的前驱体来形成第一层；对所述第一层执行第一紫外线工艺，以将所述第一层转换成第二层；以及在不同于所述第一紫外线工艺的工艺条件下对所述第二层执行第二紫外线工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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