[发明专利]一种含硅组件的制造方法有效
| 申请号： | 201810825233.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108950513B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 纪幸辰 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/04;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 深圳市深联知识产权代理事务所(普通合伙) 44357 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 518040 广东省深圳市福田区沙头*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提出了一种含硅组件的制造方法，包括：步骤S1，选取含硅组件薄膜；步骤S2，在所述的含硅组件薄膜上沉积蚀刻掩膜；步骤S3，光刻；步骤S4，通入含氟混合气体，电离形成离子层，进行离子蚀刻，其中，所述的含氟混合气体中混有O |
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| 搜索关键词： | 一种 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含硅组件的制造方法，其特征在于，包括：步骤S1，选取含硅组件薄膜；步骤S2，在所述的含硅组件薄膜上沉积蚀刻掩膜；步骤S3，光刻；步骤S4，通入含氟混合气体，电离形成离子层，进行离子蚀刻，其中，所述的含氟混合气体中混有O2及N2，所述的O2及N2的物质的量占含氟混合气体总物质的量20％以上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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