[发明专利]具有高CMOS集成的热电式红外探测器有效
| 申请号： | 201810796468.4 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN108975263B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 皮特·科普尼奇;伊凯·安德·奥贾克;保罗·西蒙·庞廷 | 申请（专利权）人： | 迈瑞迪创新科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;H10N10/17 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 新加坡国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一器件和形成该器件的方法。该器件包括衬底，该衬底具有设置在晶体管区域中的晶体管组件和设置在混合区域中下传感器腔膜上的微电子机械系统(MEMS)组件。MEMS组件用作热电式红外传感器，热电堆线结构，该热电堆线结构包括设置在反向掺杂的第一和第二线段的一部分上的吸收层。后段线(BEOL)电介质设置在具有多个层间介电(ILD)层的衬底上。该ILD层具有金属层和通孔层。ILD层包括金属线和用于互连器件组件的通孔触点。金属层中的金属线被配置成在下传感器腔上方限定BEOL或上传感器腔，BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定MEMS组件的几何形状。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 cmos 集成 热电 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：衬底，包括晶体管区域和混合区域；晶体管组件，所述晶体管组件设置在所述晶体管区域中；混合组件，所述混合组件设置在所述混合区域中；所述混合区域中的下传感器腔，所述下传感器腔设置在所述混合组件上方；微电子机械系统(MEMS)组件，所述MEMS组件设置在所述混合区域中的下传感器腔上；和后段线(BEOL)电介质，所述BEOL电介质设置在具有多个层间介电(ILD)层的衬底上，所述ILD层具有金属层和通孔层，所述金属层包括金属线，所述通孔层包括用于互连所述器件的组件的通孔触点，其中所述金属层中的所述金属线被配置为限定所述下传感器腔上方的上传感器腔，其中所述BEOL电介质的第一金属层的金属线被配置为限定所述MEMS组件的几何形状。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迈瑞迪创新科技有限公司，未经迈瑞迪创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810796468.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
