[发明专利]一种晶圆光刻胶及金属剥离工艺中的防雾气外溢装置在审
申请号: | 201810794940.0 | 申请日: | 2018-07-19 |
公开(公告)号: | CN110739242A | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 关贺聲;王一 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D46/00;B01D46/12 |
代理公司: | 21002 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 何丽英 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于晶圆制造技术领域,特别涉及一种晶圆光刻胶及金属剥离工艺中的防雾气外溢装置。包括固定防溅环、内防溅环、一级过滤装置、升降防溅环、升降防溅环驱动机构及排风管路,其中固定防溅环、内防溅环及升降防溅环由外到内依次嵌套设置、且内防溅环与固定防溅环之间留有环隙,一级过滤装置设置于内防溅环的下端,升降防溅环驱动机构与升降防溅环连接,用于驱动升降防溅环升降,排风管路与固定防溅环连接、且与内防溅环与固定防溅环之间的环隙连通。本发明具有三层过滤系统以及特有的排风流场,阻止金属碎屑进入排风管道及雾气凝结后累积在排风管道中,解决了以往剥离腔体做工艺时出现的雾气外溢,风道堵塞及金属回收率低等问题。 | ||
搜索关键词: | 防溅 升降 一级过滤装置 排风管道 排风管路 驱动机构 环隙 金属回收率 嵌套 金属剥离 金属碎屑 三层过滤 雾气凝结 剥离腔 防雾气 风流场 风道 晶圆 雾气 下端 种晶 连通 堵塞 驱动 制造 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆光刻胶及金属剥离工艺中的防雾气外溢装置,其特征在于,包括固定防溅环(1)、内防溅环(3)、一级过滤装置、升降防溅环(15)、升降防溅环驱动机构及排风管路(7),其中固定防溅环(1)、内防溅环(3)及升降防溅环(15)由外到内依次嵌套设置、且内防溅环(3)与固定防溅环(1)之间留有环隙,所述一级过滤装置设置于所述内防溅环(3)的下端,所述升降防溅环驱动机构与所述升降防溅环(15)连接,用于驱动所述升降防溅环(15)升降,所述排风管路(7)与所述固定防溅环(1)连接、且与所述内防溅环(3)与固定防溅环(1)之间的环隙连通。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造