[发明专利]光掩模坯料及其制造方法、光掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法在审
申请号: | 201810770791.4 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN109254496A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 坪井诚治;中村真实 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社;HOYA电子马来西亚有限公司 |
主分类号: | G03F1/46 | 分类号: | G03F1/46;G03F1/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 朴渊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光掩模坯料,可得到高精度的掩模图案,且能够抑制显示不均的光学特性,具有:透明基板;遮光膜,从透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层,第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为25~75原子%、氧的含有率为15~45原子%、氮的含有率为10~30原子%的组成,遮光层为含有铬和氮的铬系材料,具有铬的含有率为70~95原子%,氮的含有率为5~30原子%的组成,第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为30~75原子%、氧的含有率为20~50原子%、氮的含有率为5~20原子%的组成,遮光膜的表面及背面对于上述曝光光的曝光波长的反射率分别为10%以下,光学密度为3.0以上。 | ||
搜索关键词: | 反射抑制层 铬系材料 光掩模坯料 透明基板 遮光层 遮光膜 制造 光学特性 曝光波长 显示不均 显示装置 掩模图案 反射率 光掩模 曝光光 背面 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模坯料,在制作显示装置制造用的光掩模时使用,其特征在于,具有:透明基板,由对于曝光光实际上透明的材料构成;遮光膜,设置于所述透明基板上,由对于所述曝光光实际上不透明的材料构成,所述遮光膜从所述透明基板侧起具备第一反射抑制层、遮光层、第二反射抑制层,所述第一反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为25~75原子%、氧的含有率为15~45原子%、氮的含有率为10~30原子%的组成,所述遮光层为含有铬和氮的铬系材料,具有铬的含有率为70~95原子%,氮的含有率为5~30原子%的组成,所述第二反射抑制层为含有铬、氧、氮的铬系材料,具有铬的含有率为30~75原子%、氧的含有率为20~50原子%、氮的含有率为5~20原子%的组成,设定所述第一反射抑制层、所述遮光层及所述第二反射抑制层的膜厚,使所述遮光膜的表面及背面对于所述曝光光的曝光波长的反射率分别为10%以下,且光学密度为3.0以上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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