[发明专利]一种低频声场质点振速敏感结构及制备方法有效
| 申请号： | 201810708216.1 | 申请日： | 2018-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN109060108B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;周瑜;冯杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三研究所 |
| 主分类号： | G01H11/06 | 分类号： | G01H11/06 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低频声场质点振速敏感结构及制备方法，硅衬底上形成有桥孔，桥孔的一侧上设有第一电极，桥孔的另一侧上设有第二电极、第三电极，桥孔上方设有第一薄丝、第二薄丝，第一薄丝、第二薄丝平行设置且保持微间距，第一薄丝、第二薄丝的敏感层均依次由第一端部敏感层、中部敏感层、第二端部敏感层三段组成，中部敏感层的长度大于第一端部敏感层、第二端部敏感层的长度，中部敏感层用于传递热量，第一端部敏感层、第二端部敏感层用于与电极连接；中部敏感层与第一端部敏感层、第二端部敏感层之间分别设有空气间隙层。本发明能够有效提升低频声场质点振速敏感结构的低频响应特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低频 声场 质点 敏感 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低频声场质点振速敏感结构，硅衬底上形成有桥孔，桥孔的一侧上设有第一电极，桥孔的另一侧上设有第二电极、第三电极，桥孔上方设有第一薄丝、第二薄丝，第一薄丝、第二薄丝平行设置且保持微间距，两个薄丝的一端均与第一电极连接，两个薄丝的另一端分别与第二电极、第三电极连接，第一薄丝、第二薄丝的顶面均设有敏感层，其特征在于：第一薄丝、第二薄丝的敏感层均依次由第一端部敏感层、中部敏感层、第二端部敏感层三段组成，中部敏感层的长度大于第一端部敏感层、第二端部敏感层的长度，中部敏感层用于传递热量，第一端部敏感层、第二端部敏感层用于与电极连接；中部敏感层与第一端部敏感层、第二端部敏感层之间分别设有空气间隙层。
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