[发明专利]粗略轮次和精细轮次多级NVM编程在审

专利信息
申请号: 201810698104.2 申请日: 2018-06-29
公开(公告)号: CN109213689A 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: A.卡基菲鲁茨;P.卡拉瓦德;R.S.舍诺伊;A.S.马德拉斯瓦拉;D.塞巴斯蒂安;郭炘 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李雪娜;郑冀之
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 存储器编程器装置的实施例可以包括在第一轮次中对多级存储器的第一级单元部分编程的第一级编程器,在第一轮次中对多级存储器的第二级单元部分粗略编程的粗略编程器,其中第二级单元部分包括比第一级单元部分更多的级,以及在第二轮次中根据在第一轮次中被编程在第一级单元部分中的数据对多级存储器的第二级单元部分精细编程的精细编程器。
搜索关键词: 第一级 多级存储器 编程 精细编程 编程器 编程存储器 编程器装置 精细
【主权项】:
1.一种电子处理系统,包括:处理器;通信耦合到处理器的多级NAND存储器,多级NAND存储器包括:单级单元(SLC)部分,以及四级单元(QLC)部分;以及通信耦合到多级NAND存储器以对多级NAND存储器编程的存储器编程器,其中存储器编程器还要:在第一轮次中对SLC部分编程,在第一轮次中对QLC部分粗略编程,以及在第二轮次中根据在第一轮次中被编程在SLC部分中的数据对QLC部分精细编程。
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