[发明专利]对功率金属化层图案化的方法和用于处理电子装置的方法在审
| 申请号： | 201810586123.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037056A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | P.菲舍尔;J.施拉明格;M.C.韦尔克尔;P.措恩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了对功率金属化层图案化的方法和用于处理电子装置的方法。根据各种实施例，一种用于处理电子装置的方法（100）可以包括：在功率金属化层（202）之上形成图案化的硬掩模层（206p），该图案化的硬掩模层（206p）暴露该功率金属化层（202）的至少一个表面区（202s）；以及通过湿法蚀刻（220）所暴露的该功率金属化层（202）的至少一个表面区（202s）来对该功率金属化层（202）进行图案化。 | ||
| 搜索关键词： | 功率金属 化层 图案化 处理电子装置 硬掩模层 表面区 湿法蚀刻 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理电子装置的方法（100），该方法包括：在铜功率金属化层（202）之上形成图案化的硬掩模层（206p），该图案化的硬掩模层（206p）暴露该铜功率金属化层（202）的至少一个表面区（202s）；以及通过湿法蚀刻（220）所暴露的该铜功率金属化层（202）的至少一个表面区（202s)来对该铜功率金属化层（202）进行图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
