[发明专利]蚀刻和由此形成的结构有效
| 申请号： | 201810584616.6 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109786236B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 黄冠维;陈育裕;林嘉男 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文描述的实施例涉及用于蚀刻结构的方法和由此形成的结构。在一些实施例中，增加材料的第一部分和材料的第二部分之间的蚀刻选择性。增加蚀刻选择性包括对材料实施诸如各向异性离子注入的各向异性处理以处理材料的第一部分，并且在各向异性处理之后，材料的第二部分保持未被处理。在增加蚀刻选择性之后，蚀刻材料的第一部分。该蚀刻可以是湿蚀刻或干蚀刻，并且还可以是各向同性的或各向异性的。本发明的实施例还涉及蚀刻和由此形成的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 由此 形成 结构 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，包括：增加材料的第一部分和所述材料的第二部分之间的蚀刻选择性，增加蚀刻选择性包括对材料实施各向异性处理以处理所述材料的第一部分，并且在所述各向异性处理之后，所述材料的第二部分保持未被处理；以及在增加所述蚀刻选择性之后，蚀刻所述材料的第一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
