[发明专利]一种原子层沉积方法

摘要

本发明属于集成电路的薄膜制备领域，具体涉及一种原子层沉积方法，包括如下步骤：通入第一反应气体，所述第一反应气体部分附着于所述下电极的表面；通入第一清洁气体，以排出所述反应腔室中残留的所述第一反应气体；通入第二反应气体，所述第二反应气体与所述第一反应气体反应，以形成第一层薄膜；通入第二清洁气体，以排出所述反应腔室中残留的第二反应气体以及反应的副产物；所述通入第一清洁气体所用时间为承载台旋转一周用时的整数倍。其能有效保证每一步沉积的效果，使得最终获得的薄膜具有均匀的厚度。

主权项

1.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、提供反应腔室，所述反应腔室中置有能够旋转的承载台；所述承载台上载入设有下电极支架组的晶圆；/nS2、向所述反应腔室中通入第一反应气体，所述第一反应气体部分附着于所述下电极支架组的表面；/nS3、进行第一腔室清洁，包括先对所述反应腔室进行第一抽真空处理，再向所述反应腔室中通入第一清洁气体，由所述第一抽真空处理至所述第一清洁气体的通入的循环操作为两次或两次以上以排出所述反应腔室中悬浮残留的所述第一反应气体；/nS4、向所述反应腔室中通入第二反应气体，所述第二反应气体与附着于所述下电极支架组表面的所述第一反应气体反应，以在所述下电极支架组的表面形成第一层薄膜；/nS5、进行第二腔室清洁，包括先对所述反应腔室进行第二抽真空处理，再向所述反应腔室中通入所述第二清洁气体，以排出所述反应腔室中悬浮残留的第二反应气体以及所述第一反应气体与所述第二反应气体反应的游离副产物；/n其中，所述第一抽真空处理和所述第一清洁气体的通入过程中，所述承载台保持旋转，通入所述第一清洁气体所用时间满足所述承载台旋转一周用时的整数倍关系，由所述第一抽真空处理至所述第一清洁气体的通入的循环操作次数大于由所述第二抽真空处理至所述第二清洁气体的通入的操作次数。/n