[发明专利]化学机械研磨后晶圆清洗方法及系统在审
| 申请号： | 201810541211.4 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108630588A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 黄郡 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械研磨后晶圆清洗方法及系统，包括如下步骤：1）确定清洗参数和清洗刷电机扭矩的变化关系；2）确定最佳清洗效果时段内清洗刷电机扭矩的变化范围；3）使用清洗刷对晶圆表面进行清洗，并量测晶圆清洗过程中清洗刷电机扭矩；4）将晶圆清洗过程中清洗刷电机扭矩与最佳清洗效果时段内清洗刷电机扭矩的范围进行比对，并依据比对结果及清洗参数与清洗刷电机扭矩的对应关系调整更新清洗参数。本发明通过故障检测分类模块收集清洗刷电机扭矩数据，动态调节清洗刷与晶圆表面的距离，减少了晶圆表面缺陷数，增加了清洗刷使用寿命，提高了良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗刷 电机扭矩 晶圆清洗 晶圆表面 清洗 化学机械研磨 清洗效果 故障检测分类 比对结果 变化关系 动态调节 关系调整 使用寿命 良品率 缺陷数 比对 量测 洗刷 更新 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械研磨后晶圆清洗方法，其特征在于，所述化学机械研磨后晶圆清洗方法使用清洗刷对化学机械研磨后的晶圆表面进行清洗，包括如下步骤：1)确定清洗参数和清洗刷电机扭矩的变化关系；2)确定最佳清洗效果时段内所述清洗刷电机扭矩的变化范围；3)使用清洗刷对所述晶圆表面进行清洗，并量测所述晶圆清洗过程中所述清洗刷电机扭矩；及，4)将所述晶圆清洗过程中所述清洗刷电机扭矩与最佳清洗效果时段内所述清洗刷电机扭矩的范围进行比对，并依据比对结果及所述清洗参数与所述清洗刷电机扭矩的变化关系调整更新清洗参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
