[发明专利]一种阻变存储器的设计方法及装置有效
申请号: | 201810508704.8 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108807456B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 卢年端;李泠;刘明;刘琦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L45/00 |
代理公司: | 11302 北京华沛德权律师事务所 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种阻变存储器的设计方法及装置,方法包括:接收预设的阻变材料的第一参数标准,基于所述第一参数标准搜索并输出第一阻变材料,第一参数包括:带隙、电荷转移、空位、迁移势垒、载流子激活能、肖特基势垒及中间相数量;根据第一阻变材料建立阻变材料数据库;接收阻变存储器器件模型的第二参数标准,根据第二参数标准从阻变材料数据库中筛选出第二阻变材料,所述第二参数包括:所述器件模型的开启电压、写入电压、擦除电压、擦写速度、功耗、存储窗口、稳定性、耐久性、开关比、电流参数的离散性及存储密度;利用所述第二阻变材料、相应的电极材料及预设的存储结构设计所述阻变存储器。 | ||
搜索关键词: | 阻变材料 阻变存储器 参数标准 设计方法及装置 器件模型 预设 数据库 肖特基势垒 载流子激活 擦除电压 存储窗口 存储结构 电荷转移 电极材料 电流参数 开启电压 写入电压 开关比 离散性 空位 擦写 带隙 功耗 势垒 存储 搜索 迁移 筛选 输出 | ||
【主权项】:
1.一种阻变存储器的设计方法,其特征在于,所述方法包括:/n接收预设的阻变材料的第一参数标准,基于所述第一参数标准利用高通量第一性原理搜索并输出第一阻变材料,所述第一参数包括:带隙、电荷转移、空位、迁移势垒、载流子激活能、肖特基势垒及中间相数量;/n根据所述第一阻变材料建立阻变材料数据库;/n接收阻变存储器器件模型的第二参数标准,根据所述第二参数标准从所述阻变材料数据库中筛选出第二阻变材料,所述阻变存储器器件模型是根据所述阻变材料数据库中的第一阻变材料建立的,所述第二参数包括:所述器件模型的开启电压、写入电压、擦除电压、擦写速度、功耗、存储窗口、稳定性、耐久性、开关比、电流参数的离散性及存储密度;/n利用所述第二阻变材料、相应的电极材料及预设的存储结构设计所述阻变存储器;其中,所述根据所述第一阻变材料建立阻变材料数据库,包括:/n建立各第一阻变材料及对应的所述第一参数标准之间的各映射关系表;/n将所述各映射关系表分别存储至预设数据库中对应的数据块中,形成所述阻变材料数据库。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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