[发明专利]聚电解质杂化中空二氧化硅纳米颗粒及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201810503456.8 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108434122B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 朱锦涛;刘倩倩;周雅捷;陶娟;张连斌;李钰策;殷小燕 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;华中科技大学同济医学院附属协和医院 |
| 主分类号： | A61K9/51 | 分类号： | A61K9/51;A61K47/34;A61K47/04;A61K39/39;A61P35/00;A61P31/12 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种聚电解质杂化中空二氧化硅纳米颗粒及其制备方法与应用。该聚电解质杂化中空二氧化硅纳米颗粒内部为中空结构，外部壳层为聚电解质与二氧化硅的杂化结构；所述壳层分布有介孔。该制备方法是首先合成具有核壳结构的二氧化硅纳米颗粒；然后除去核壳结构的二氧化硅纳米颗粒中的表面活性剂；最后用聚电解质对得到的介孔二氧化硅纳米颗粒进行刻蚀，从而得到聚电解质杂化中空介孔二氧化硅纳米颗粒。该制备方法简单，得到的聚电解质杂化中空介孔二氧化硅纳米颗粒具有良好的单分散性、较好的生物相容性、较大的比表面积及孔体积，可应用于药物载体和免疫佐剂。 | ||
| 搜索关键词： | 电解质 中空 二氧化硅 纳米 颗粒 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种聚电解质杂化中空介孔二氧化硅纳米颗粒，其特征在于，所述聚电解质杂化中空介孔二氧化硅纳米颗粒内部为中空结构，外部壳层为聚电解质与二氧化硅的杂化结构；所述聚电解质与二氧化硅通过静电和氢键相互作用形成所述杂化结构；所述壳层分布有介孔。
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