[发明专利]一种基于操作时间或电流判断闪存芯片可靠性的方法及测试装置有效
申请号: | 201810502719.3 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108831517B | 公开(公告)日: | 2021-04-27 |
发明(设计)人: | 潘玉茜;李四林 | 申请(专利权)人: | 武汉忆数存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人: | 廉海涛 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于闪存芯片可靠性测试技术,尤其是涉及一种通过操作时间或电流判断闪存芯片可靠性的方法及测试装置。本发明首先通过测试装置采集样本闪存芯片的操作时间或电流,然后对数据进行分析处理,建立数据与闪存芯片可靠性的对应关系,再由测试装置收集待测闪存芯片的操作时间和电流,最后结合可靠性的对应关系判断待测芯片的可靠性。本发明中提出的判断闪存芯片可靠性方法与一般方法相比,不易受到闪存中存储数据取值的干扰,同时克服了一般方法无法有效防止闪存突然失效而造成数据损失的缺点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 操作 时间 电流 判断 闪存 芯片 可靠性 方法 测试 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基于操作时间或电流判断闪存芯片可靠性的方法,其特征在于,该方法包括:步骤1,从闪存产品集合中选取闪存芯片作为样本,将样本闪存芯片与闪存测试装置连接开始测试收集建立闪存芯片可靠性对应关系所需的数据,所述建立闪存芯片可靠性对应关系所需的数据为测试过程中采集到的闪存芯片操作时间或电流,或操作时间和电流的组合;步骤2,将测试得到的数据进行处理分析,统计测试数据的分布,计算测试得到的数据与初始值之间的差值,建立数据处理结果与闪存芯片可靠性之间的对应关系;所述初始值是指:在闪存芯片开始使用之前,采用步骤1所述的测试方法获取的闪存芯片在执行写入、读取、擦除操作时的操作时间和电流值;步骤3,测试收集待测闪存芯片的操作时间、电流,结合步骤2建立的对应关系确定当前状态下待测闪存芯片的可靠性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉忆数存储技术有限公司,未经武汉忆数存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810502719.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。