[发明专利]具有焊盘结构的图像传感器有效
申请号: | 201810434110.7 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN109841640B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 郑允玮;周俊豪;李国政;黄熏莹;黄胤杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例涉及一种具有在前段制程工艺期间形成的焊盘结构的图像传感器及其形成方法。可以在形成背侧深沟槽隔离结构和金属栅格结构之前形成焊盘结构。在图像传感器件的背侧上形成开口以暴露嵌入式焊盘结构并形成电连接。 | ||
搜索关键词: | 具有 盘结 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种形成半导体图像传感器件的方法,所述方法包括:在半导体层中形成多个光电探测器,其中,所述多个光电探测器配置为检测穿过所述半导体层的第一表面进入到所述半导体层中的光;蚀刻所述半导体层以在所述半导体层的第二表面中形成第一开口,其中,所述第二表面与所述第一表面相对;在所述第一开口中形成包括金属填充物的焊盘结构;在所述半导体层的所述第二表面上设置互连结构;以及蚀刻所述半导体层以在所述半导体层中形成第二开口以暴露所述焊盘结构的至少部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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