[发明专利]被加工物的加工方法在审
申请号: | 201810409277.8 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108878284A | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
发明(设计)人: | F·韦;田渕智隆;山铜英之 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供被加工物的加工方法,能够抑制器件的安装不良、断线等加工后的破损。该被加工物的加工方法包含如下的步骤:掩模准备步骤,准备将被加工物正面的器件覆盖并且使间隔道露出的掩模;等离子蚀刻步骤,在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程:隔着掩模对背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽,接着隔着掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物,然后隔着掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将槽底的被膜去除而对槽底进行蚀刻;以及异物去除步骤,在实施了等离子蚀刻步骤(ST3)之后,利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过等离子蚀刻步骤(ST3)而生成的被膜去除。 | ||
搜索关键词: | 被加工物 等离子蚀刻步骤 掩模 等离子化 被膜 加工 去除 蚀刻 保持部件 抑制器件 异物去除 间隔道 清洗液 断线 破损 背面 堆积 清洗 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种被加工物的加工方法,该被加工物具有在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件的正面,该器件具有突起电极,其中,该被加工物的加工方法具有如下的步骤:掩模准备步骤,准备将被加工物正面的该器件覆盖并且使该间隔道露出的掩模;等离子蚀刻步骤,在该等离子蚀刻步骤中反复进行如下过程:隔着该掩模对正面的该器件被该掩模覆盖并且在背面配设有保持部件的被加工物提供等离子化的SF6而形成槽,接着隔着该掩模对被加工物提供等离子化的C4F8而使被膜堆积于被加工物,然后隔着该掩模对被加工物提供等离子化的SF6从而将该槽底的该被膜去除而对该槽底进行蚀刻;以及异物去除步骤,在实施了该等离子蚀刻步骤之后,利用清洗液对被加工物进行清洗而将通过该等离子蚀刻步骤而生成的该被膜去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造