[发明专利]隧穿场效应管及其制造方法、芯片

摘要

本申请公开了一种隧穿场效应管及其制造方法、芯片，属于半导体技术领域。所述方法包括：在基底上形成掩膜结构，并对基底进行第一离子的第一注入处理；在基底上形成第一侧墙，并对基底进行第一离子的第二注入处理；在基底中已注入第一离子的区域上覆盖遮挡层；减薄掩膜结构；在减薄后的掩膜结构上形成第二侧墙，并刻蚀掩膜结构中第二侧墙未覆盖的部分；在基底上形成第三侧墙，并对基底进行第二离子的第三注入处理；去除基底中待形成栅区的区域上的结构；在基底上形成栅区、源电极和漏电极。本申请解决了相关技术中还无法制造出尺寸较小的TFET的问题，能够制造出尺寸较小的TFET，本申请用于TFET的制造。

主权项

1.一种隧穿场效应管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基底中待形成漏区和沟道区的区域上形成掩膜结构；以所述掩膜结构为掩膜，对所述基底中待形成源区和源扩展区的区域进行第一离子的第一注入处理；在所述基底中待形成所述源扩展区的区域上形成第一侧墙，所述第一侧墙低于所述掩膜结构；以所述掩膜结构和所述第一侧墙为掩膜，对所述基底中待形成所述源区的区域进行所述第一离子的第二注入处理，且所述第二注入处理的注入深度大于所述第一注入处理的注入深度；在所述基底中已注入所述第一离子的区域上覆盖遮挡层；减薄所述掩膜结构，使得减薄后的所述掩膜结构低于所述第一侧墙；在减薄后的所述掩膜结构上形成第二侧墙，且所述基底上所述第一侧墙和所述第二侧墙所在的区域为所述基底中待形成栅区的区域；以所述遮挡层和所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述掩膜结构中所述第二侧墙未覆盖的部分；在所述基底中待形成所述沟道区的区域上形成覆盖所述第二侧墙的第三侧墙；以所述遮挡层和所述第三侧墙为掩膜，对所述基底中待形成所述漏区的区域进行第二离子的第三注入处理；去除所述基底中待形成所述栅区的区域上的结构；在所述基底上形成栅区、源电极和漏电极，所述源电极与所述源区连接，所述漏电极与所述漏区连接。